Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (25)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (42)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Мар'янчук П$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Ковалюк Т. Т. 
Елементний склад, механізми розсіювання електронів та вплив відпалу на фізичні властивості кристалів Hg1-x-yCdxDyySe [Електронний ресурс] / Т. Т. Ковалюк, П. Д. Мар'янчук, Е. В. Майструк, С. Л. Абашин // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2014. - Т. 3, Вип. 1. - С. 49-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2014_3_1_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 664.817 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Мар'янчук П. Д. 
Кінетичні властивості та зонні параметри кристалів Hg1-x MnxTe1-ySy та Hg1-x MnxSe1-ySy [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук, Е. В. Майструк, В. Д. Цеханський // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 75-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_19
Попередній перегляд:   Завантажити - 275.06 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Мар'янчук П. Д. 
Домінуючі механізми розсіяння електронів у кристалах Hg1-xMnxSe [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 89-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 197.823 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Гавалешко Н. М. 
Ймовірність утворення кластерів різних розмірів у Hg1-xMnxSe та Hg1-xМnxTе1-ySey [Електронний ресурс] / Н. М. Гавалешко, П. Д. Мар'янчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2002. - Вип. 133. - С. 21-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2002_133_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 203.518 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Мар'янчук П. Д. 
Магнітна сприйнятливість кристалів Hg1-xMnxTe1-ySy [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук, Е. В. Mайcтpук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2002. - Вип. 133. - С. 105-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2002_133_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 234.028 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Мар'янчук П. Д. 
Оцінка розмірів та форми кластерів у Hg1-хMnxSe [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2003. - Вип. 157. - С. 63-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2003_157_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 211.476 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Мар'янчук П. Д. 
Вплив температури на домінуючі механізми розсіяння в Hg1-хMnхSe [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2003. - Вип. 157. - С. 81-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2003_157_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 196.164 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Мар'янчук П. Д. 
Вплив термообробки на фізичні властивості кристалів Hg1-x-yMnxFeySe1-zSz [Електронний ресурс] / П. Д. Мар'янчук, Г. О. Андрущак // Журнал фізичних досліджень. - 2008. - Т. 12, Число 3. - С. 3706-1-3706-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2008_12_3_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 195.935 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Солован М. М. 
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів МоOx/n-Cd1-хZnхTe [Електронний ресурс] / М. М. Солован, А. І. Мостовий, Г. П. Пархоменко, В. B. Брус, П. Д. Мар'янчук // East european journal of physics. - 2021. - No 1. - С. 34-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_1_7
Виготовлено гетеропереходи MoOx/n-Si шляхом нанесення тонких плівок MoOx, за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення на підкладки кремнію. Виміряно вольтамперні характеристики (ВАХ) одержаних гетеропереходів за різних температур. Проаналізовано температурну залежність висоти потенціального бар'єру та послідовного опору гетеропереходу. Побудовано енергетичну діаграму досліджуваних гетеронереходів. Оцінено концентрацію поверхневих станів на межі розділу гетеропереходу та встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані гетеропереходи за прямого і зворотного зміщень. Встановлено, що гетероструктура MoOx/n-Si має максимальну напругу холостого ходу Voc = 0,167 В, густину струму короткого замикання Isc = 8,56 мА/см<^>2. Проаналізовано можливості застосування одержаної гетероструктури як фотодіоду.Наведено результати досліджень оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетеропереходів MoOx/n-Cd1-xZnxTe виготовлених нанесенням плівок MoOx на попередньо поліровану поверхню пластин n-Cd1-xZnxTe (розміром <$E5~times~5~times~0,7> мм<^>3) в універсальній вакуумній установці Lеybold - Heraeus L560 за допомогою реактивного магнетронного розпилення мішені чистого Mo. Такі дослідження мають велике значення для подальшої розробки високоефективних приладів на основі гетеропереходів для електроніки й оптоелектроніки. Виготовлені гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe володіють великою висотою потенціального бар'єра (ПБ) за кімнатної температури (<$E phi sub 0~=~1,15> еВ), яка значно перевищує аналогічний параметр для гетеропереходу MoOx/n-CdTe (<$E phi sub 0~=~0,85> еВ). Експериментально визначений температурний коефіцієнт зміни висоти (ТКЗВ) ПБ становив <$E d( phi sub 0 ) "/" dT~=~-8,7~cdot~10 sup -3> еВ/K, даний параметр більший у 4 рази від ТКЗВ ПБ для гетероструктур MoOx/n-CdTe. Більше значення висоти ПБ гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe обумовлене формуванням електричного диполя на гетерограниці, через збільшення концентрації поверхневих станів в порівнянні з гетероструктурою MoOx/n-CdTe, а це очевидно пов'язано з наявністю атомів цинку в області просторового заряду та на металургійній межі поділу гетерограниці. В гетеропереходах MoOx/n-Cd1-xZnxTe домінуючими механізмами струмопереносу є генераційно-рекомбінаційний і тунельно-рекомбінаційний за участі поверхневих станів і тунельний при прямому зміщенні та тунелювання при зворотньому зміщенні. Встановлено, що гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe, які володіють такими фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,33 В, струм короткого замикання Isc = 1,2 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,33 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см<^>2 є перспективними для виготовлення детекторів різного типу випромінювань. Виміряний і досліджений імпеданс гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe за різних зворотніх зміщень, що надало змогу визначити розподіл густини поверхневих станів і характеристичний час їх перезарядки, які зменшуються у разі зростання зворотного зміщення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.242 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського